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Espacio patrocinadoEl mayor fabricante de chips de memoria del mundo, Samsung, desarrolló con éxito el primer prototipo de chip de memoria flash V-NAND de 900 capas. Con este logro tecnológico, la firma surcoreana busca reafirmar su liderazgo en la tecnología de memoria de semiconductores, justo en un momento en el que el crecimiento de la inteligencia artificial impulsa una demanda masiva de memorias DRAM y NAND flash.
Cabe destacar que el desarrollo de este modelo en fase de investigación representa un hito clave frente a sus competidores en el mercado internacional, como la surcoreana SK Hynix y la firma china Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC).
Según un informe del medio surcoreano especializado en tecnología ETNews, el prototipo utiliza una tecnología avanzada denominada «Cell Multi-Bonding» (CMB), un proceso especializado que fusiona dos obleas de celdas de 450 capas cada una en un único chip funcional. Además, la técnica de apilar múltiples capas de memoria NAND flash permite al fabricante mejorar notablemente la densidad de almacenamiento dentro de una misma dimensión física, al tiempo que reduce el consumo de energía del componente final.
Es importante señalar que estas estructuras apiladas de alta densidad se consideran cada vez más ventajosas para gestionar de manera óptima las cargas de trabajo informáticas complejas asociadas con la computación de IA.
Actualmente, SK Hynix lidera el segmento de almacenamiento NAND de altas capas con sus chips de 321 capas. No obstante, Samsung se posiciona con fuerza en este sector al trabajar simultáneamente en dos frentes estratégicos: la preparación para la producción en masa de sus chips de décima generación de 400 capas y, al mismo tiempo, el desarrollo del hito de las 900 capas en fase de investigación.
La estrategia tecnológica de Samsung en la evolución de las memorias V-NAND de alta densidad
Es importante señalar que la evolución del almacenamiento en tres dimensiones no es nueva para la compañía surcoreana. Esto se debe a que Samsung fue la primera empresa del mundo en comercializar chips flash 3D V-NAND durante 2013.
Además, inicialmente el fabricante surcoreano empleaba un proceso de manufactura que consistía en perforar y apilar agujeros microscópicos en un solo paso técnico. Sin embargo, a medida que las alturas de apilamiento aumentaron con los años, surgieron desafíos físicos complejos, tales como la deformación de las obleas (wafer warping) y los errores de desalineación en el apilamiento de las capas de celdas.
Es por ello que, para resolver estos inconvenientes estructurales en el nuevo prototipo, los ingenieros de la compañía implementaron un diseño avanzado de sujeción superior denominado «Upper Chuck», complementado con la tecnología de corrección de superposición (Overlay Correction). Adicionalmente, el informe de desarrollo indicó que se introdujeron mejoras significativas en las estructuras de las líneas de bits (Bitline) y las líneas de palabras (Wordline), logrando mitigar el consumo energético general y reducir el tamaño total del chip físico.
Cabe destacar que el desarrollo acelerado de la tecnología de 900 capas de Samsung responde de forma directa a la presión competitiva ejercida por las empresas asiáticas fabricantes de chips de almacenamiento.
Como referencia, la empresa china YMTC está acortando rápidamente la distancia tecnológica frente a Samsung y SK Hynix en el mercado global de memorias flash. Adicionalmente, respaldada por una fuerte inversión del Gobierno de China y una mayor autonomía en sus equipos de manufactura de semiconductores, YMTC ya puso en marcha la producción masiva de chips NAND avanzados de 294 capas.
